三分彩

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                重磅发布!IGBT专利全景分析报告抢先看

                来源:中国电力新闻▃网 时间:2021-02-09 09:28

                  党的十九届五中全会提出:“要坚持创新在我国现代化︼建设全局中的核心地位,把科技自立自强□ 作为国家发展的战略支撑。”

                  ?国家发展改革委在《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》中明确提〓出“要加快IGBT等核心技术部件研发”。

                  ?国家电网公∩司2020年科技创新大会◆上提出“要着力增强原始创新能力,实现关键核心技术自主可控”,并在其发布的《新兴产业集群培育的∴指导意见》中进一步◢明确重点拓展IGBT等¤新兴业务。

                  由此可见:无论是国家层修煉水之力面、还是行业层面,都将IGBT领域技术创新放╱在了发展的核心地位。

                  一、什么是IGBT

                  绝缘栅◇双极型晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT 是为解决√金属—氧化物半 导体场效应晶体管在高压眼中不由兇光畢露应用时的导通损耗与耐压水平之间的矛盾,由通用电气公司和美国无线电公司在1982年提出的一种新型结构器件。经过30 多年⌒ 的发展,IGBT技术持续改进→,实现了在功率变换领域的广泛应▃用。

                  作为智能电网、轨道交通、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域的技术热点,在较长一段时间内,IGBT核心技术都由国外相关∏机构和企业把持。近些年,中国在此领域虽取得╱了长足的进步,但也▼存在一些“卡脖子”技术和什么研究空白,需要重点开展科∞研攻关。  

                  经过多年的发展,IGBT器件领域已经积累了大量的专利,专利信息是一种高度标准化的技术法律信〗息,无论是专利类↙别划分,还是文体结构及ζ 句法结构,都有相对可循的规律㊣。对IGBT专利的全景分析既可以了解目前国内外对此领域的专利研究现状,也可∏以提升IGBT专利质量,激发创新能力,探究未来发展趋势,有利于企业制定「发展策略。

                  二、《绝缘栅双极型晶体︽管(IGBT)专利全景分析报告》

                  由英大传媒集团中国电力百科网运高高躍起营团队策划并牵头编制的第一款技术咨◎询研究报告——《绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专利全景分析报告》,即将于20213正式发布!报告由国网智能电网研究院等权威研究机构提供专家指导、中国电力百科网(www.ceppedu.com)、德温特创新平↓台(www.derwentinnovation.com提供数据和工具支持。



                  ? IGBT技术领域∩最新、最全专利分析报∩告

                  ? 内容丰富、数据翔实、分析全面、方法新颖

                  ? 形成了全方位、多角度、专业化的研◆究结论

                  ? 可为国内外相关政府部门、科研院所、企业、高校◤等提供有益参考

                  本报告通过制∞定IGBT 整体检索和◣分析方案,对IGBT全球范围龍族内的专利信息进行深度检索,从专利授权活动、实体动态、技术分析等角度全面分析、洞察专利授权的趋势,并对专利技术分╲支进行多维度统计分析,形成全方位、多角度、专业化的研時候究结论。

                  三、报告的①作用

                  (1)全面了解IGBT 技术的最新发展趋势和技术布局,分析指导发展方向,把技术空白或布局薄弱处作ㄨ为突破口,为企业构筑核心竞争力。

                  (2)有效→规避相同的发明点,避免在研发过程中的各种潜在风险,从而优化企业专利★布局,更好地保护自有知识产权。

                  (3)深入了解IGBT领域⌒的主要竞争对手及其发展方向,从而制定相应策卐略,出具竞争方案,为企业自身制定未而當年死去来的专利和市场对抗※战略提供有利的依据。

                  四、报告的亮点

                  1.优化的检時候了索策略

                  (1检索范围大:包含在全球范围内公∑ 开的,在标题、摘要或权利要求中↙涉及“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)以及续流二极管(FWD)”的近 20 年(从 2000 年 1 月 1 日起首次提交的)专利数据,在初步检索基★础上,进行了大∏范围去噪,并通过与专家协商进▼行重查、清理和确认,最终得到检索结果为10259个专眼中掠過了一抹驚艷利家族,以此作为IGBT技术领域研究的专利集合,并通过分析每个专利家族♀的一篇专利公开代表〖进行全景分析。

                  (2检索要◤素全:使用关键词及其变体,在德温特创新平台(Derwent Innovation中国电力百科网中,用其包含的♀多种分类方式及其组合(包括IPCCPCDWPI手工代码)进↓行综合检索。

                  (3检索策略♀新:采用了关键词与分类号、关键ω词与关键词等相关策略,最终确定血紅色光芒甚至把也籠罩其中了28个检索策略,其中主要检索策略包括:

                  ? 检索◥在标题、摘要、权利要求等重要分类中主要讨论①IGBT的专利。

                  ? 检索几种不同︼类型的IGBT(例如 COMFETMOSIGTGEMFET)。

                  ? 检索主要讨论高看著消失压二极管或功率二极管,例如快恢复二极管、续流二极管或晶闸管,并且提到了这些器件☉同时适用于IGBT的专利。

                  ? 检索集中于》功率半导体器件的专利,其◣提到了在IGBT 技术领域中的◆应用。

                  2.完善的分析方法

                  通过技术关键词和技术分类体系对每个子分类进行单独的检索,将最终的集合细分到◤最小分类中,并基于最终分类的↑专利集合,生▃成分析框架,在专利授权趋势、实体动态、技术分析等维度上,以可视化方式突出显示专利全景分析的☆重要结论。

                  3.采用“发明”这一概念进行专利分析

                  ? 报告采用“发明”作为每个专利记■录的定义。

                  ? “发明”不是单独『的专利公开文献,而是包括了同一个专利家族的相关专自從達到玄仙之后就幾乎沒有動用過他利申请和授权专利。

                  ? 采用“发明”这一概念进行专利分析,为 IGBT 技术领域实体的发明活跃度等指标提供了更准确的测定,并能够对遍及该领域的→总体创新水平提供更真实的描述。

                  ? 为了进行统一的分析,专利全景分析中使用每个专利家族第一次提出专利申请的日期作□ 为分析的基础。

                  五、报告内容概☆览

                  1.报告给『出了IGBT专利集王恒和董海濤這才緩緩松了口氣合的专利地图,如下:



                  IGBT专利集合的专利地图

                  2.报告给出我以靈魂發下誓言了IGBT的技〓术分类表,如下(部分):

                  IGBT的技术分类表(部分)



                  3.报告分析◎了∏IGBT专利创新〖趋势、创新增♀长率、创新来源、保护和申请策略、平均专利审查周期及授权率等专利授权¤活动内容。


                  创新︽增长率


                  4.报告分析了专利所有权动态事情、第一梯级专利组合及创新增长率、专利金烈點了點頭强度分布、专利实体保护策略、顶级学术机▲构、新兴实体等内容,还对国家电网公司在IGBT技术领域ぷ的专利引用和被引用的关系进行了重点阐◣述。


                  顶级学术机构云星主


                  5.报告对各技术分类的专利分布、技术█创新增长趋势、新兴技术、主要参与者的技术【重点、技术交叉↓与空白进行了详细超級仙帝出來吧的分析。


                  IGBT分类的增长趋势


                  六、报告主要结论

                  报告形成的部分结论如下:

                  (1)总体情况

                  ? 2009年至2013年观察到了发明活跃性的高增长。自2013年后,本领域的申请数量趋于≡稳定。

                  ? 企业在该领域中贡献大多◤数发明,而14%的发明由学术和政府研究机构提交。

                  ? ……

                  (2)创新来源情况

                  ? 中国在IGBT技术领域取得了长足的发展,其中自2014年以来,65%的发明方案在中国得到了保护,这表明中国实体近年对这一领域的强烈关注。

                  ? 近年来,来自日卐本的发明专利数量有所减少。

                  ? 在美国提交的专利获得授权〇的时间最快,并且╱在美国提交的专利中几乎87%已经被授权。

                  ? ……

                  (3)专利大喝聲陡然響起实体情况

                  ? 3位发明数量最高的实体是富士电机(665项),英飞凌(624项)和三菱电◇机(363项)。

                  ? 剑桥半导体公司、安森美半导体和〗古河电气工业具有高引用数量的旧有专利,是影响深远的早期创新者。

                  ? ABB、罗姆半导体、三星电机、电子科╳技大学、东南□ 大学是该领域的新兴实体,拥有强大的年轻专⌒利组合。

                  ? ……

                  (4)国家电网公司情况

                  ? 在电力电子、半导体以及计算和控制你認為我會隨便出手嗎领域,国家电网公司在中国的专利被其他专利引用。

                  ? ……

                  (5)技术趋势

                  ? 沟槽、硅基 IGBT 和减薄∩是在 IGBT 分类中发明数量最高的主要类别。

                  ? 沟槽、碳化硅基 IGBT 和载流子存储层子类在 IGBT 分类内显示出最高的增长。

                  ? ……

                  (完整结论请参见报告全文)

                  七、报告的获取方式

                  报告全文将以纸质版和电¤子版两种方式发布,单本定价150,发∏布时间初步定于20213月。现在正式开始接受预定

                  其中:

                  纸质版可接受个人和团体订购

                  电子版可通过中国电力百科网PC端(www.ceppedu.com)、移动端(电网头条APP知识频道)来购买阅读∞。中国电力百科网会员单位可享受免费在♀线阅读。

                  如对报告的内容、获取方式以及会员单位的开通等问题有疑问,可联系我们。

                联系方式:

                  联系人:刘女士

                  联系电话:010-52238129

                  微    信:527811595

                  邮    箱:527811595@qq.com


                汇款方式:

                  名    称:中电传媒股份有限公司

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                任编辑:周小博  投稿邮箱:网上投稿